各有關單位：

　　為加快建設具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，提升集成電路領域科技創(chuàng)新能力，加快突破集成電路領域關鍵核心技術，上海市科學技術委員會特發(fā)布2021年度“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路科技支撐專項項目申報指南。

　　一、征集范圍

　　專題一、前瞻技術研究

　　研究目標：面向計算、存儲、傳感等應用方向，布局集成電路新材料、新器件、新架構、新方法研究，突破一批原始性創(chuàng)新技術。

　　研究內(nèi)容：（1）三維可堆疊的高速易失性存儲技術研究（2）氧化鎵等超寬禁帶半導體器件技術研究（3）面向3納米及以下制造工藝的新型半導體器件技術研究（4）超導與低溫集成電路技術研究。

　　執(zhí)行期限：2021年7月1日到2023年6月30日。

　　經(jīng)費額度：每項資助不超過100萬元。

　　申報主體要求：本市獨立法人單位。企業(yè)牽頭申報的投入研發(fā)經(jīng)費與申請資助經(jīng)費之比不低于1:1。每條研究內(nèi)容限支持1項。

　　專題二、戰(zhàn)略前沿技術

　　研究目標：面向5G通信、光通信等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域，布局自主創(chuàng)新技術攻關，提升集成電路產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能級和供應鏈安全水平。

　　研究內(nèi)容：（1）面向化合物半導體量產(chǎn)工藝的高功率射頻器件PDK模型建模平臺開發(fā)（2）面向300mm硅片平坦化的化學機械拋光國產(chǎn)化解決方案（3）高速高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片研發(fā)及應用（4）面向5G高性能射頻濾波器應用的絕緣體上壓電材料（POI）晶圓工程技術研發(fā)（5）鈮酸鋰光子芯片的高效率、高精度制造技術與方法研究。

　　執(zhí)行期限：2021年7月1日到2023年6月30日。

　　經(jīng)費額度：非定額資助。

　　申報主體要求：研究內(nèi)容1-4要求為本市企業(yè)，研究內(nèi)容5要求為本市獨立法人單位。企業(yè)投入研發(fā)經(jīng)費與申請資助經(jīng)費之比不低于2:1。

　　二、申報要求

　　除滿足前述相應條件外，還須符合以下要求：

　　1. 項目申報單位應當是注冊在本市的獨立法人單位，具有組織項目實施的相應能力。

　　2. 研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財政資金支持的，不得重復申報。

　　3. 所有申報單位和項目參與人應遵守科研倫理準則，遵守人類遺傳資源管理相關法規(guī)和病原微生物實驗室生物安全管理相關規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項目申請。

　　4. 申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。

　　5. 已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報。

　　6. 項目經(jīng)費預算編制應當真實、合理，符合市科委科技計劃項目經(jīng)費管理的有關要求。

　　三、申報方式

　　1. 項目申報采用網(wǎng)上申報方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國上海”門戶網(wǎng)站（http://www.sh.gov.cn）--一政務服務--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：

　　【初次填寫】使用申報賬號登錄系統(tǒng)（如尚未注冊帳號，請先轉(zhuǎn)入注冊頁面進行單位注冊，然后再進行申報賬號注冊），轉(zhuǎn)入申報指南頁面，點擊相應的指南專題后，按提示完成“上?？萍?rdquo;用戶賬號綁定，再進行項目申報；

　　【繼續(xù)填寫】登錄已注冊申報賬號、密碼后繼續(xù)該項目的填報。

　　有關操作可參閱在線幫助。

　　2. 項目網(wǎng)上填報起始時間為2021年5月19日9:00，截止時間（含申報單位網(wǎng)上審核提交）為2021年6月7日16:30。

　　四、評審方式

　　采用一輪通訊評審方式。

　　五、立項公示

　　上海市科委將向社會公示擬立項項目清單，接受公眾異議。

　　六、咨詢電話

　　服務熱線：8008205114（座機）、4008205114（手機）

　　上海市科學技術委員會

　　2021年5月11日

• 關于發(fā)布上海市2021年度“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路科技支撐專項項目申報指南的通知.pdf